Инженерия дефектов в технологии полупроводников
Физические основы в технологии кремниевых приборов
978-3-8443-5939-8
3844359397
252
2011-07-14
79,00 €
rus
https://images.our-assets.com/cover/230x230/9783844359398.jpg
https://images.our-assets.com/fullcover/230x230/9783844359398.jpg
https://images.our-assets.com/cover/2000x/9783844359398.jpg
https://images.our-assets.com/fullcover/2000x/9783844359398.jpg
Разработка новых приборов или существенное улучшение их параметров нуждаются в развитии физических основ инженерии дефектов в их технологии. Для создания нового поколения силовых высоковольтных приборов (СВП) потребовалась разработка технологии изготовления структур с p-n переходами на основе бездислокационного нейтронно-легированного кремния большого диаметра. В таких структурах доминирующим типом структурных дефектов являются собственные точечные дефекты (СТД) и их комплексы. Поведение СТД при характерных для СВП температурах и временах не было изучено, и отвергалось их участие в формировании электрически активных центров. При зарождении кремниевой оптоэлектроники высказывались сомнения о возможности создания светодиодов на основе кремния, поскольку он является не прямозонным полупроводником. Создание эффективных светодиодов потребовало исследования процессов образования структурных дефектов, электрически и оптически активных центров при легировании кремния ионами эрбия. В книге представлены физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых и светоизлучающих структур. Книга рассчитана на студентов и преподавателей университетов, аспирантов и научных работников.
https://morebooks.de/books/hu/published_by/lap-lambert-academic-publishing/47/products
Fizika, csillagászat
https://morebooks.de/store/hu/book/%D0%B8%D0%BD%D0%B6%D0%B5%D0%BD%D0%B5%D1%80%D0%B8%D1%8F-%D0%B4%D0%B5%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82%D0%BE%D0%B2-%D0%B2-%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D0%B8-%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2/isbn/978-3-8443-5939-8