Физические основы твердотельной электроники и наноэлектроники
Исследование параметров двойных гетероструктур блоков лазерных диодов для импульсных излучателей
978-613-9-86846-9
6139868467
80
2018-07-05
35.90 €
rus
https://images.our-assets.com/cover/230x230/9786139868469.jpg
https://images.our-assets.com/fullcover/230x230/9786139868469.jpg
https://images.our-assets.com/cover/2000x/9786139868469.jpg
https://images.our-assets.com/fullcover/2000x/9786139868469.jpg
Актуальность данной работы обусловлена широкой областью применением лазерных полупроводниковых излучателей. Мощные лазерные диоды находят применение в лазерных устройствах военного и медицинского назначения, промышленности, системах накачки твердотельных и волоконных лазеров. По сравнению с ламповыми устройствами накачки лазерные диоды обеспечивают максимальный КПД накачки, высокие эксплуатационные характеристики и значительный срок службы. Большая мощность излучения лазерных диодов позволяет использовать их для создания приборов, широко применяемых в системах обеспечения безопасности, связи, технологии и других областях. Целью работы является создание гетероструктур на основе арсенида галлия для импульсных лазерных полупроводниковых излучателей, позволяющих получать лазерный пучок с заданными значениями мощности, расходимости и длины волны и обладающих необходимыми ватт-амперными и вольт-амперными характеристиками.
https://morebooks.de/books/fr/published_by/lap-lambert-academic-publishing/47/products
Physique, Astronomie
https://morebooks.de/store/fr/book/%D1%84%D0%B8%D0%B7%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B5-%D0%BE%D1%81%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D1%8B-%D1%82%D0%B2%D0%B5%D1%80%D0%B4%D0%BE%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%BE%D0%B9-%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8-%D0%B8-%D0%BD%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8/isbn/978-613-9-86846-9