Рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n(001)
теоретические результаты
978-3-659-45756-2
3659457566
148
2013-09-28
44,90 €
rus
https://images.our-assets.com/cover/230x230/9783659457562.jpg
https://images.our-assets.com/fullcover/230x230/9783659457562.jpg
https://images.our-assets.com/cover/2000x/9783659457562.jpg
https://images.our-assets.com/fullcover/2000x/9783659457562.jpg
Книга посвящена изложению основ теоретического описания процессов внутри- и междолинного рассеяния электронов на длинноволновых и коротковолновых фононах в полупроводниковых сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n(001). Результаты получены с применением первопринципных и феноменологических методов исследования электронных и фононных состояний. Основное внимание уделено выяснению влияния квантово-размерных эффектов на вероятности электронных переходов в нижних зонах проводимости сверхрешеток. Установлены особенности электронного, фононного спектров и механизмов электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках по сравнению с их бинарными компонентами. Впервые получены междолинные деформационные потенциалы для всех интенсивных каналов рассеяния электронов на фононах в сверхрешетках с разной толщиной слоев. Книга предназначена для специалистов в области моделирования оптических и транспортных свойств наноматериалов, преподавателей и студентов.
https://morebooks.de/books/de/published_by/lap-lambert-academic-publishing/47/products
Physik, Astronomie
https://morebooks.de/store/de/book/%D1%80%D0%B0%D1%81%D1%81%D0%B5%D1%8F%D0%BD%D0%B8%D0%B5-%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%B2-%D0%BD%D0%B0-%D1%84%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%BD%D0%B0%D1%85-%D0%B2-%D1%81%D0%B2%D0%B5%D1%80%D1%85%D1%80%D0%B5%D1%88%D0%B5%D1%82%D0%BA%D0%B0%D1%85-gaasmalasn001/isbn/978-3-659-45756-2